摘要：:長(zhǎng)江儲(chǔ)存,閃存顆粒,TLC顆?！綜NMO新聞】在2022年閃存峰會(huì)（FMS）上，長(zhǎng)江儲(chǔ)存正式宣布了基于晶棧3.0（Xtacking 3.0）技能的第四代TLC 3D閃存X3-9070。供給鏈方面稱，該閃存的堆疊層數(shù)到達(dá)232層，與一線國(guó)際NAND FLash大廠
【CNMO新聞】在2022年閃存峰會(huì)（FMS）上，長(zhǎng)江儲(chǔ)存正式宣布了基于晶棧3.0（Xtacking 3.0 ）技能的第四代TLC 3D閃存X3-9070。供給鏈方面稱，該閃存的堆疊層數(shù)到達(dá)232層，與一線國(guó)際NAND FLash大廠比肩而行。對(duì)比長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)物，X3-9070擁有更高的存儲(chǔ)密度，更快的I/O速度，并回收6-plane設(shè)計(jì)，機(jī)能晉升的同時(shí)功耗更低，進(jìn)一步釋放系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)物潛能。
長(zhǎng)江儲(chǔ)存
據(jù)先容，長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-9070的機(jī)能、耐用性和靠得住性已通過(guò)美國(guó)電子器件工程連系委員會(huì)（JEDEC）界說(shuō)的多項(xiàng)測(cè)試尺度。長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-9070能實(shí)現(xiàn)高達(dá)2400MT/s的I/O傳輸速率，切合ONFI5.0類(lèi)型。而其回收的6-plane設(shè)計(jì)，對(duì)比傳統(tǒng)4-plane設(shè)計(jì)，讓該新品比長(zhǎng)江存儲(chǔ)上一代產(chǎn)物實(shí)現(xiàn)了50%的機(jī)能晉升。在儲(chǔ)存密度方面，得益于晶棧3.0的架構(gòu)創(chuàng)新， X3-9070成為了長(zhǎng)江存儲(chǔ)汗青上密度最高的閃存顆粒產(chǎn)物，可以或許在更小的單顆芯片中實(shí)現(xiàn)1Tb的存儲(chǔ)容量。
長(zhǎng)江存儲(chǔ)X3-9070閃存
長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行副總裁陳軼暗示：“X3-9070閃存顆粒是長(zhǎng)江存儲(chǔ)連年來(lái)在三維閃存規(guī)模的匠心之作，擁有精彩的機(jī)能表示和極高的存儲(chǔ)密度，可以或許快速高效地應(yīng)用于主流商用場(chǎng)景之中。面臨發(fā)達(dá)成長(zhǎng)的5G、云計(jì)較、物聯(lián)網(wǎng)、自動(dòng)駕駛、人工智能等新技能帶來(lái)的全新需求和挑戰(zhàn)。”
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