摘要::臺(tái)積電晶圓代工,臺(tái)積電漲【CNMO新聞】8月26日,據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào),由于通脹等各方面因素導(dǎo)致本錢上升,業(yè)內(nèi)傳出,臺(tái)積電來(lái)歲各制程報(bào)價(jià)至少漲3%,成熟制程大概上漲6%。對(duì)此,不外臺(tái)積電昨日回應(yīng)稱,對(duì)相
【CNMO新聞】8月26日,據(jù)中國(guó)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào),由于通脹等各方面因素導(dǎo)致本錢上升,業(yè)內(nèi)傳出,臺(tái)積電來(lái)歲各制程報(bào)價(jià)至少漲3%,成熟制程大概上漲6%。
對(duì)此,不外臺(tái)積電昨日回應(yīng)稱,對(duì)相關(guān)價(jià)值議題不評(píng)論。
今朝,半導(dǎo)體市場(chǎng)依舊需求龐大,相關(guān)企業(yè)仍在努力加大投入,擴(kuò)張業(yè)務(wù)規(guī)模,研發(fā)更先進(jìn)的技能。值得一提的是,本年7月,臺(tái)積電實(shí)現(xiàn)營(yíng)收1867億新臺(tái)幣(折合人民幣約423.7億元),同比增長(zhǎng)49.9%,環(huán)比增長(zhǎng)6.2%。本年1-7月,臺(tái)積電營(yíng)收總計(jì)1.21萬(wàn)億新臺(tái)幣,同比增長(zhǎng)41.1%。
近期,媒體報(bào)道稱,臺(tái)積電N3E工藝良率超預(yù)期,N3E SRAM的良率明明高于N3,個(gè)中256Mb SRAM的平均良率約為80%。
據(jù)相識(shí),臺(tái)積電N3E工藝為N3工藝的增強(qiáng)版。相關(guān)資料顯示,N3E的晶體管數(shù)量固然比第一代3納米制程淘汰約8%,但仍較5nm制程晉升了約60%,且淘汰了4層EUV光罩,使其將成為臺(tái)積電更具本錢及出產(chǎn)效率優(yōu)勢(shì)的重要節(jié)點(diǎn)。今朝來(lái)看,臺(tái)積電N3制程估量將在本年第三季下旬投片量開(kāi)始大幅拉升,第四季月投片量將達(dá)上千片水準(zhǔn),進(jìn)入量產(chǎn)階段。
臺(tái)積電晶圓代工,臺(tái)積電漲http://jojoklub.com/news/xingyezixun/151716.html(責(zé)任編輯:admin)
免責(zé)聲明:文章內(nèi)容及圖片來(lái)自網(wǎng)絡(luò)上傳,如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系我們刪除